NTE359

更新时间： 2024-11-23 04:36:03

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NTE		晶体射频双极晶体管微波放大器
页数	文件大小	规格书
2页	72K
描述
Silicon NPN Transistor RF & Microwave Transistor

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NTE359 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.02	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	30 W	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE359 数据手册

NTE359

Silicon NPN Transistor

RF & Microwave Transistor

Description:

RF Power Transistor 20W − 175 MHz

Features:

Specified 28 Volt, 175MHz Characteristics

Output Power = 20 Watts

Minimum Gain = 8.2dB

Efficiency = 60%

Characterized from 125 to 175MHz

Includes Series Equivalent Impedances

Absolute Maximum Ratings:

Collector−Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V

Collector−Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V

Emitter−Base Voltage, V_eb. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Collector Current−Continuous, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A

Total Device Dissipation @ 25°C, P_d. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171mW/°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to °C +200

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to °C +200

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Off Characteristics

Collector−Emitter Breakdown Voltage

Collector−Emitter Sustaining Voltage

Emitter−Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I = 200mA, I = 0, Note 1

−

(Br)CEO

I = 200mA, V = 0

C BE

(Br)CES

I = 10mA, I = 0

(Br)ebo

= 30 V, I = 0

CBO

On Characteristics

DC Current Gain

I = 200mA, V = 5.0V

−

Note 1. Pulsed through 25mH inductor

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NTE359 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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NTE345	NTE	类似代替	Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver
NTE320	NTE	类似代替	Silicon NPN RF Power Transistor 40W @ 175MHz

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NTE362	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power
NTE363	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Amp, PO = 4W
NTE364	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 16V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SOT-122
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NTE366	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 25W @ 512MHz
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