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NTE367

更新时间： 2024-09-18 22:50:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体放大器射频双极晶体管功率放大器局域网
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2页 25K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Amplifier PO = 45W @ 512MHz

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NTE367 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.58
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：9 A
基于收集器的最大容量：125 pF集电极-发射极最大电压：16 V
配置：SINGLE最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：O-CRFM-F4元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：175 W
最大功率耗散 (Abs)：175 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTE367 数据手册

 浏览型号NTE367的Datasheet PDF文件第2页 
NTE367  
Silicon NPN Transistor  
RF Power Amplifier  
PO = 45W @ 512MHz  
Description:  
The NTE367 is a silicon NPN RF power transistor in a W65 type package designed for 12.5V UHF  
large–signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512MHz.  
Features:  
D Specified 12.5V, 470MHz Characteristics:  
Output Power: 45W  
Minimum Gain: 4.8dB  
Efficiency: 55%  
D Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters  
D Built–In Matching Network for Broadband Operation  
D Tested for Load Mismatch Stress at all Phase Angles with 20:1 VSWR @ 16V High Line and  
50% Overdrive  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 670mW/°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction to Case, RΘ  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5°C/W  
JC  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
I = 20mA, I = 0  
16  
36  
4
–
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CEO  
C
B
V
V
I = 20mA, V = 0  
C BE  
(BR)CES  
(BR)EBO  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I = 5mA, I – 0  
–
V
E
C
I
V
CE  
= 15V, V = 0, T = +25°C  
–
10  
mA  
CES  
BE  
C
12

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