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NTE360

更新时间： 2024-09-19 04:36:03
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体射频双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 74K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 40W @ 175MHz

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NTE360 技术参数

生命周期：Active包装说明：POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：2Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：35 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-CRPM-F4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：60 W最大功率耗散 (Abs)：60 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

NTE360 数据手册

 浏览型号NTE360的Datasheet PDF文件第2页 
NTE360  
Silicon NPN Transistor  
RF Power Output  
PO = 40W @ 175MHz  
Description:  
The NTE360 is designed primarily for wideband large−signal amplifier stages in the 125−175MHz  
frequency range.  
Features:  
• Specified 28 Volt, 175MHz Characteristics:  
Output Power = 40 Watts  
Minimum Gain = 7.6dB  
Efficiency = 60%  
• Characterized from 125 to 175MHz  
• Includes Series Equivalent Impedances  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V  
Collector−Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V  
Emitter−Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V  
Collector Current−Continuous, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60W  
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 342mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +200°C  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector−Emitter Breakdown Voltage  
V
I = 200mA, I = 0, Note 1  
35  
65  
4
−
−
−
−
−
−
−
1
V
V
(BR)CEO  
C
B
V
I = 200mA, V = 0, Note 1  
C BE  
(BR)CES  
Emitter−Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
On Characteristics  
V
I = 10mA, I = 0  
V
(BR)EBO  
E
C
I
V
CB  
= 30V, I = 0  
−
mA  
CBO  
E
DC Current Gain  
h
FE  
I
500mA, V = 5.0V  
5.0  
−
−
−
C =  
CE  
Dynamic Characteristics  
Output Capacitance  
C
ob  
V
CB  
= 30V, I = 0, f = 0.1 to 1.0MHz  
−
45  
65  
pF  
E
Note 1 Pulsed through 25mH inductor.  
12

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