NTE365

更新时间： 2024-11-22 22:50:55

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NTE		晶体射频双极晶体管放大器局域网
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2页	23K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 15W @ 512MHz

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NTE365 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MRFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3 A	基于收集器的最大容量：	60 pF
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-MRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	50 W	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE365 数据手册

NTE365

Silicon NPN Transistor

RF Power Output

P_O= 15W @ 512MHz

Description:

The NTE365 is a silicon NPN transistor designed for 12.5 Volt UHF large–signal amplifier applications

in industrial and commercial FM equipment operating to 512MHz.

Features:

D Specified 12.5 Volt, 470MHz Characteristic:

Output Power = 15 Watts

Minimum Gain = 7.8dB

Efficiency = 55%

D Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

D Built–In Matching Network for Broadband Operation

D Tested for Load Mismatch Stress at all Phase Angles with 20:1 VSWR @ 16–volt High Line

and Overdrive

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Collector Current–Continuous, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W

Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mW/°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0°C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

OFF Characteristics

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

I = 20mA, I = 0

–

(BR)CEO

I = 20mA, V = 0

C BE

(BR)CES

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I = 5mA, I = 0

E C

(BR)EBO

= 15V, V = 0, T = +25°C

–

5.0 mA

CES

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