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NTE369 PDF预览

NTE369

更新时间： 2024-11-09 22:50:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关晶体管功率双极晶体管电视局域网
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Silicon NPN Transistor TV Vertical Deflection, Switch

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NTE369 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：1.69Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-66
JESD-30 代码：O-MBFM-P2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：40 W
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：7 MHzBase Number Matches：1

NTE369 数据手册

 浏览型号NTE369的Datasheet PDF文件第2页 
NTE369  
Silicon NPN Transistor  
TV Vertical Deflection, Switch  
Description:  
The NTE369 is an NPN transistor in a TO66 type case designed for high voltage inverters, converters,  
regulators, and switching circuits.  
Features:  
D High Voltage: VCBO = 800V  
D Gain Specified to 200mA  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA  
Total Device Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.12°C/W  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 10mA, I = 0  
400  
–
–
–
–
–
V
(BR)CEO  
C
B
I
V
CB  
EB  
= 800V  
100 mA  
CBO  
Emitter Cutoff Current  
I
V
= 6V, I = 0  
–
100 mA  
EBO  
C
ON Characteristics  
DC Current Gain  
h
I = 200mA, V = 10V  
30  
–
–
–
–
FE  
C
CE  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Dynamic Characteristics  
Current Gain–Bandwidth Product  
V
I = 500mA, I = 50mA  
5
V
CE(sat)  
C
B
f
I = –100mA, V = 10V, f = 1MHz  
–
7
–
MHz  
T
E
CE  
12

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