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NTE366 PDF预览

NTE366

更新时间： 2024-11-07 22:50:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 25W @ 512MHz

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NTE366 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, O-MRFM-F4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：2.02Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：4 A基于收集器的最大容量：125 pF
集电极-发射极最大电压：16 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-MRFM-F4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：117 W最大功率耗散 (Abs)：117 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTE366 数据手册

 浏览型号NTE366的Datasheet PDF文件第2页 
NTE366  
Silicon NPN Transistor  
RF Power Output  
PO = 25W @ 512MHz  
Description:  
The NTE366 is a silicon NPN transistor designed for 12.5 Volt UHF large–signal amplifier applications  
in industrial and commercial FM equipment operating to 512MHz.  
Features:  
D Specified 12.5 Volt, 470MHz Characteristic:  
Output Power = 25 Watts  
Minimum Gain = 6.2dB  
Efficiency = 60%  
D Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters  
D Built–In Matching Network for Broadband Operation  
D Tested for Load Mismatch Stress at all Phase Angles with 20:1 VSWR @ 16–volt High Line  
and Overdrive  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V  
Collector Current–Continuous, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103W  
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 590mW/°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
I = 20mA, I = 0  
16  
36  
4
–
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CEO  
C
B
V
I = 20mA, V = 0  
C BE  
(BR)CES  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 5mA, I = 0  
–
V
(BR)EBO  
E
C
I
V
CE  
= 15V, V = 0, T = +25°C  
–
10  
mA  
CES  
BE  
C
12

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NTE366 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC2643 TOSHIBA

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