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NTE382 PDF预览

NTE382

更新时间: 2024-02-05 03:44:18
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NTE 晶体小信号双极晶体管驱动放大器
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Silicon Complementary Transistors Audio Frequency Driver

NTE382 技术参数

生命周期:Active包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.74
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.9 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):140 MHzBase Number Matches:1

NTE382 数据手册

 浏览型号NTE382的Datasheet PDF文件第2页 
NTE382 (NPN) & NTE383 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
Audio Frequency Driver  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A  
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900mW  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 10µA, I = 0  
120  
100  
5
V
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
C
E
V
I = 1mA, R = ∞  
C BE  
V
I = 10µA, I = 0  
V
(BR)EBO  
E
C
I
V
= 100V, I = 0  
10  
320  
µA  
CBO  
CB  
CE  
CE  
E
DC Current Gain  
h
FE  
V
V
= 5V, I = 150mA  
160  
30  
C
= 5V, I = 500mA  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Voltage  
V
I = 500mA, I = 50mA  
1.0  
1.5  
V
V
CE(sat)  
C
B
V
BE  
V
= 5V, I = 150mA  
CE  
CE  
CB  
C
Current Gain–Bandwidth Product  
Capacitance  
f
T
V
V
= 5V, I = 150mA  
140  
20  
MHz  
pF  
C
C
ob  
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
E

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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