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NTE375

更新时间: 2024-11-08 07:13:03
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NTE 晶体晶体管功率双极晶体管电视放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 20K
描述
Silicon NPN Transistor TV Vertical Output (Compl to NTE398)

NTE375 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SFM
包装说明:TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:1.67
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:150 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:25 W最大功率耗散 (Abs):25 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):8 MHz
Base Number Matches:1

NTE375 数据手册

 浏览型号NTE375的Datasheet PDF文件第2页 
NTE375  
Silicon NPN Transistor  
TV Vertical Output  
(Compl to NTE398)  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A  
Collector Dissipation (TA = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.75W  
Collector Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
Symbol  
ICBO  
IEBO  
hFE  
Test Conditions  
VCB = 180V, IE = 0  
Min Typ Max Unit  
8
1.0  
5.0  
200  
mA  
mA  
VEB = 5V, IC = 0  
VCE = 2V, IC = 500mA  
VCE = 5V, IC = 500mA  
100  
Gain Bandwidth Product  
fT  
MHz  
V
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 1A, IB = 100mA  
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC = 1A, IB = 100mA  
1.5  
1.8  
V

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