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NTE374 PDF预览

NTE374

更新时间： 2024-11-08 04:36:03
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NTE 晶体驱动器音频放大器小信号双极晶体管局域网
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2页 21K
描述
Silicon Complementary Transistors Audio Amplifier, Driver

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NTE374 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：2.16
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：20 W
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：140 MHzBase Number Matches：1

NTE374 数据手册

 浏览型号NTE374的Datasheet PDF文件第2页 
NTE373 (NPN) & NTE374 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
Audio Amplifier, Driver  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A  
Collector Power Dissipation, PD  
TA = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W  
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector–Base Breakdown Voltage  
V(BR)CBO IC = 1mA, IE = 0  
180  
160  
5
–
–
–
–
V
V
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 10mA, RBE = ∞  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
DC Current Gain  
V(BR)EBO IE = 1mA, IC = 0  
–
–
V
ICBO  
hFE1  
hFE2  
VCB = 160V, IE = 0  
–
–
10  
200  
–
µA  
VCE = 5V, IC = 150mA  
VCE = 5V, IC = 500mA  
60  
30  
–
–
–
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Voltage  
VCE(sat) IC = 500mA, IB = 50mA  
–
1
V
V
VBE  
fT  
VCE = 5V, IC = 150mA  
VCE = 5V, IC = 500mA  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
–
–
1.5  
–
Transistion Frequency  
–
140  
14  
MHz  
pF  
Collector Output Capacitance  
Cob  
–
–
12

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