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BD140G PDF预览

BD140G

更新时间： 2024-11-12 06:41:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 42K
描述
Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor

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BD140G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-225AA包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：2 weeks风险等级：0.57
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JEDEC-95代码：TO-225AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：12.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BD140G 数据手册

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BD136, BD138, BD140  
Plastic Medium Power  
Silicon PNP Transistor  
This series of plastic, medium−power silicon PNP transistors are  
designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing  
complementary or quasi complementary circuits.  
http://onsemi.com  
Features  
• Pb−Free Packages are Available*  
1.5 A POWER TRANSISTORS  
PNP SILICON  
• DC Current Gain − h = 40 (Min) @ I = 0.15 Adc  
FE  
C
• BD 136, 138, 140 are complementary with BD 135, 137, 139  
45, 60, 80 V, 12.5 W  
MAXIMUM RATINGS  
TO−225AA  
CASE 77  
STYLE 1  
Rating  
Symbol Value  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
BD136  
BD138  
BD140  
V
V
V
45  
60  
80  
Vdc  
CEO  
CBO  
EBO  
3
2
1
Collector−Base Voltage  
BD136  
BD138  
BD140  
45  
60  
100  
Vdc  
MARKING DIAGRAM  
Emitter−Base Voltage  
Collector Current  
Base Current  
5.0  
1.5  
0.5  
Vdc  
Adc  
Adc  
YWW  
BD1xx  
I
C
I
B
xx  
Y
= 36, 38, 40  
= Year  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.25  
10  
Watts  
mW/°C  
A
WW  
= Work Week  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
12.5  
100  
Watts  
mW/°C  
C
ORDERING INFORMATION  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to  
+150  
°C  
J
stg  
†
Device  
Package  
Shipping  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can oc-  
cur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values  
(not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these  
limits are exceeded, device functional operation is not implied, damage  
may occur and reliability may be affected.  
BD136  
TO−225AA  
500 Units/Box  
500 Units/Box  
BD136G  
TO−225AA  
(Pb−Free)  
BD138  
TO−225AA  
500 Units/Box  
500 Units/Box  
BD138G  
TO−225AA  
(Pb−Free)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
BD140  
TO−225AA  
500 Units/Box  
500 Units/Box  
Thermal Resistance,  
q
10  
°C/W  
BD140G  
TO−225AA  
(Pb−Free)  
JC  
Junction−to−Case  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
q
100  
°C/W  
JA  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
April, 2005 − Rev. 12  
BD136/D  
1234

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BD140G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD140 ONSEMI

类似代替

 POWER TRANSISTORS PNP SILICON
MJE172STU FAIRCHILD

功能相似

 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
BD14016STU FAIRCHILD

功能相似

 PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),

与BD140G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD140G-06-AA3-R UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
BD140G-06-T6C-K UTC

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 		Power Bipolar Transistor
BD140G-06-TM3-T UTC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor
BD140G-10-AA3-R UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
BD140G-10-T100-K UTC

获取价格

 		PNP SILICON TRANSISTOR
BD140G-10-T60-K UTC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti
BD140G-10-TM3-T UTC

获取价格

 		PNP SILICON TRANSISTOR
BD140G-16-T160-K UTC

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 		PNP SILICON TRANSISTOR
BD140G-16-T60-K UTC

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 		Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti
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