NTE376

更新时间： 2024-11-07 22:50:55

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NTE		晶体驱动器晶体管功率双极晶体管电视放大器局域网
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2页	21K
描述
Silicon NPN Transistor TV Power Supply Driver/Audio Output

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NTE376 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	15 W	最大功率耗散 (Abs)：	15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	70 MHz
Base Number Matches：	1

NTE376 数据手册

NTE376

Silicon NPN Transistor

TV Power Supply Driver/Audio Output

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

Power Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15W

Operating Junction Temperature, T_j. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –45° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Base Breakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 100µA, I_E= 0

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 5mA, R_BE= ∞

300

–

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector–Base Current

V_(BR)EBOI_E= 100µA, I_C= 0

–

I_CBO

I_CEO

h_FE

V_CB= 250V, I_E= 0

–

0.1

µA

–

Collector–Emitter Current

DC Current Gain

V_CE= 250V, R_BE= ∞

V_CE= 10V, I_C= 50mA

–

200

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Voltage

V_CE(sat)I_C= 100mA, I_B= 10mA

0.32 1.5

0.66 0.9

V_BE

f_T

V_CE= 10V, I_C= 50mA

V_CE= 20V, I_C= 30mA

V_CB= 50V, I_E= 0, f = 1MHz

–

Current Gain–Bandwidth Product

Collector–Base Capacitance

–

MHz

C_ob

6.2

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