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NTE376

更新时间: 2024-11-22 22:50:55
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NTE 晶体驱动器晶体管功率双极晶体管电视放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 21K
描述
Silicon NPN Transistor TV Power Supply Driver/Audio Output

NTE376 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SFM
包装说明:TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.71
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:15 W最大功率耗散 (Abs):15 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):70 MHz
Base Number Matches:1

NTE376 数据手册

 浏览型号NTE376的Datasheet PDF文件第2页 
NTE376  
Silicon NPN Transistor  
TV Power Supply Driver/Audio Output  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA  
Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15W  
Operating Junction Temperature, Tj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –45° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector–Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC = 100µA, IE = 0  
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 5mA, RBE = ∞  
300  
300  
5
V
V
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector–Base Current  
V(BR)EBO IE = 100µA, IC = 0  
V
ICBO  
ICEO  
hFE  
VCB = 250V, IE = 0  
0.1  
2
µA  
µA  
Collector–Emitter Current  
DC Current Gain  
VCE = 250V, RBE = ∞  
VCE = 10V, IC = 50mA  
40  
200  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Voltage  
VCE(sat) IC = 100mA, IB = 10mA  
0.32 1.5  
0.66 0.9  
V
VBE  
fT  
VCE = 10V, IC = 50mA  
VCE = 20V, IC = 30mA  
VCB = 50V, IE = 0, f = 1MHz  
V
Current Gain–Bandwidth Product  
Collector–Base Capacitance  
60  
70  
8
MHz  
pF  
Cob  
6.2  

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