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NTE379

更新时间： 2024-11-02 22:50:55

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体开关放大器晶体管功率放大器
页数	文件大小	规格书
3页	25K
描述
Silicon NPN Transistor Power Amp, High Voltage, Switch

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NTE379 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	1.65	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	12 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	6
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	100 W	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

NTE379 数据手册

NTE379

Silicon NPN Transistor

Power Amp, High Voltage, Switch

Description:

The NTE379 is a silicon NPN transistor in a TO220 type package designed for high–voltage, high–

speed power switching inductive circuits where fall time is critical. This device is particularly suited

for 115 and 220V switch–mode applications such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls,

Solenoid/Relay drivers, and Deflection circuits.

Features:

D V_CEO(sus)= 400V

D Reverse Bias SOA with Inductive Loads @ T_C= +100°C

D 700V Blocking Capability

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO(sus). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Collector–Emitter Voltage, V_CEV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A

Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24A

Base Current, I_B

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A

Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A

Emitter Current, I_E

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18A

Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36A

Total Power Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16mW/°C

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction to Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.25°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W

Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case for 5sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +275°C

Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%.

12 3

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NTE379 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MJF18004G	ONSEMI	功能相似	NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications
BU406	FAIRCHILD	功能相似	High Voltage Switching
BU406	ONSEMI	功能相似	NPN SILICON POWER TRANSISTORS

与NTE379相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE37MCP	NTE	获取价格	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 140V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, Plasti
NTE38	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors High Voltage, Medium Power Switch
NTE382	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Audio Frequency Driver
NTE383	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Audio Frequency Driver
NTE384	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Voltage Power Amp/Switch
NTE385	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Audio Power Amp, Switch
NTE386	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Audio Power Amp, Switch
NTE387	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Power Amp, Switch
NTE387MP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50A I(C) \| TO-3
NTE388	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors General Purpose High Power Audio, Disk Head Positioner f

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