NTE362

更新时间： 2024-09-19 04:36:03

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NTE		晶体射频双极晶体管放大器
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2页	72K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power

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NTE362 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.02	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.4 A	集电极-发射极最大电压：	16 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRPM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	5 W
最大功率耗散 (Abs)：	5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE362 数据手册

NTE362

Silicon NPN Transistor

RF Power

Description:

The NTE362 is designed for 7.0 to 15 volts, UHF large signal amplifier applications required in industrial

and commercial FM equipment operating in the 400 to 960MHz range.

Features:

D Specified 12.5 Volt, 470MHz Characteristics Power Output = 2.0 Watts

D Minimum Gain = 9.0dB

D Efficiency = 60% Minimum

D RF ballasting provides protection against device damage due to load mismatch

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector−Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V

Collector−Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

Emitter−Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Collector Current−Continuous, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.4V

Total Device Dissipation (T_C= +25°C, Note 1), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0W

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +200°C

Stud Torque (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5 in−lbs

Note 1. These devices are designed for RF operation. The total device dissipation rating applies

only when the devices are operated as RF amplifiers.

Note 2. For repeated assembly use 5 in−lbs.

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector−Emitter Breakdown Voltage

I = 50mA, I = 0

4.0

−

(BR)CEO

I = 50mA, V = 0

C BE

(BR)CES

Emitter−Base Breakdown Voltage

I = 1.0mA, I = 0

−

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

= 15V, V = 0, T = +55°C

0.2

−

1.0

CES

= 15V, I = 0

−

CBO

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