NTE350

更新时间： 2024-11-18 22:50:55

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NTE		晶体驱动器放大器射频双极晶体管功率放大器局域网
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描述
Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver

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NTE350 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.95
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2.5 A
基于收集器的最大容量：	85 pF	集电极-发射极最大电压：	18 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-MRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	31 W	最大功率耗散 (Abs)：	31 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE350 数据手册

NTE350

Silicon NPN Transistor

RF Power Amp, Driver

Description:

The NTE350 is a silicon NPN transistor in a T72H type package designed primarily for use in 12.5V

VHF large–signal power amplifier applications required in commercial and industrial equipment to

300MHz.

Features:

D Specified 12.5V, 175MHz Characteristics:

Output Power = 15W

Minimum Gain = 6.3dB

Efficiency = 60%

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V

Collector–Emitter Voltage, V_CES. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A

Total Device Dissipation (Note 1, T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177mW/°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Note 1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only

when the device is operated as an RF amplifier.

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

OFF Characteristics

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

I = 20mA, I = 0

–

(BR)CEO

I = 10mA, V = 0

C BE

(BR)CES

(BR)EBO

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I = 1mA, I = 0

–

= 15V, I = 0

–

0.5

CBO

= 15V, V = 0, T = +55°C

–

CES

ON Characteristics

DC Current Gain

I = 500mA, V = 5V

–

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