NTE320

更新时间： 2024-11-18 22:50:55

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NTE		晶体射频双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
3页	30K
描述
Silicon NPN RF Power Transistor 40W @ 175MHz

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NTE320 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MRPM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.97
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	7 A
基于收集器的最大容量：	200 pF	集电极-发射极最大电压：	18 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-MRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	80 W	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

NTE320 数据手册

NTE320/NTE320F

Silicon NPN RF Power Transistor

40W @ 175MHz

Description:

The NTE320 and NTE320F are silicon NPN power transistors designed for 12.5V VHF large–signal

amplifier applications required in commercial and industrial equipment operating to 300MHz.

Features:

D Specified 12.5V, 175MHz Characteristics:

Output Power: 40W

Minimum Gain: 4.5dB

Efficiency: 70%

D Available in Two Different Package Styles:

T72 Stud Mount: NTE320

W52K Flange Mount: NTE320F

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7A

Total Device Dissipation (T_C= +25°C, Note 1), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 460mW/°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Stud Torque (NTE320 Only, Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5in. lb.

Note 1. These devices are designed for RF operation. The total device dissipation rating applies

only when the devices are operated as RF amplifiers.

Note 2. For repeated assembly, use 5in. lb.

12 3

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