NTE354

更新时间： 2024-11-22 22:50:55

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NTE		晶体射频双极晶体管放大器局域网
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描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 15W @ 175MHz

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NTE354 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.01	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	2.5 A	基于收集器的最大容量：	120 pF
集电极-发射极最大电压：	18 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	20 W
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE354 数据手册

NTE354

Silicon NPN Transistor

RF Power Output

P_O= 15W @ 175MHz

Description:

The NTE354 is designed for 12.5 Volt VHF large–signal amplifier applications required in military and

industrial equipment operating to 250MHz.

Features:

D Balanced Emitter Construction with Isothermal Resistor Design to Provide the Designer with

the Optimum in Transistor Ruggedness.

D Low lead Inductance Stripline Packaging for Easier Design and Increased Broadband Capabilities

D Flange Package for Easy Mounting and Better Thermal Conductivity to Heat Sink.

D Exceptional Power Output Stability versus Temperature.

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Collector Current–Continuous, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A

Total Device Dissipation (T_C= +25°C, Note 1), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114mW/°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Note 1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only

when the device is operated as an RF amplifier.

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Breakdown Voltage

I = 20mA, I = 0

–

(BR)CEO

I = 10mA, V = 0

C BE

(BR)CES

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I = 2mA, I = 0

E C

(BR)EBO

= 15V, I = 0

–

250 µA

500 µA

CBO

= 15V, V = 0, T = +55°C

–

CES

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