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NTE351 PDF预览

NTE351

更新时间： 2024-09-18 22:50:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体驱动器放大器射频双极晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver

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NTE351 技术参数

生命周期：Active包装说明：POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：2.02Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：5 A基于收集器的最大容量：130 pF
集电极-发射极最大电压：18 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：O-CRPM-F4元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：65 W
最大功率耗散 (Abs)：65 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTE351 数据手册

 浏览型号NTE351的Datasheet PDF文件第2页 
NTE351  
Silicon NPN Transistor  
RF Power Amp, Driver  
Description:  
The NTE351 is a silicon NPN transistor in a T72H type package designed primarily for use in 12.5V  
VHF large–signal power amplifier applications required in commercial and industrial equipment to  
300MHz.  
Features:  
D Specified 12.5V, 175MHz Characteristics:  
Output Power = 25W  
Minimum Gain = 6.2dB  
Efficiency = 65%  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V  
Collector–Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A  
Total Device Dissipation (Note 1, TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 370mW/°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Note 1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only  
when the device is operated as an RF amplifier.  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
I = 100mA, I = 0  
18  
36  
4
–
–
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CEO  
C
B
V
I = 15mA, V = 0  
C BE  
(BR)CES  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 5mA, I = 0  
–
V
(BR)EBO  
E
C
I
V
= 15V, I = 0  
–
1.0  
10  
mA  
mA  
CBO  
CB  
CE  
E
I
V
= 15V, V = 0, T = +55°C  
–
CES  
BE  
C
ON Characteristics  
DC Current Gain  
h
FE  
I = 1A, V = 5V  
5
–
–
C
CE  
12

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