NTE348

更新时间： 2024-11-19 22:50:55

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NTE		晶体驱动器放大器射频双极晶体管功率放大器局域网
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描述
Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver

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NTE348 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	1 A	基于收集器的最大容量：	20 pF
集电极-发射极最大电压：	18 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	12 W
最大功率耗散 (Abs)：	12 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE348 数据手册

NTE348

Silicon NPN Transistor

RF Power Amp, Driver

Description:

The NTE348 is a silicon NPN transistor in a T72H type package designed primarily for use in 12.5V

VHF large–signal power amplifier applications required in military and industrial equipment to

300MHz.

Features:

D Specified 12.5V, 175MHz Characteristics:

Output Power = 4W

Minimum Gain = 12dB

Efficiency = 50%

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V

Collector–Emitter Voltage, V_CES. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Total Device Dissipation (Note 1, T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68.5mW/°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Note 1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only

when the device is operated as an RF amplifier.

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

OFF Characteristics

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

I = 10mA, I = 0

–

(BR)CEO

I = 5mA, V = 0

C BE

(BR)CES

(BR)EBO

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I = 1mA, I = 0

E C

= 15V, I = 0

–

0.25 mA

CBO

= 15V, V = 0, T = +55°C

–

CES

ON Characteristics

DC Current Gain

I = 250mA, V = 5V

–

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