NTE349

更新时间： 2024-09-18 22:50:55

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NTE		晶体驱动器放大器射频双极晶体管功率放大器
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2页	25K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver

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NTE349 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	2.02
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
基于收集器的最大容量：	70 pF	集电极-发射极最大电压：	18 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	30 W	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE349 数据手册

NTE349

Silicon NPN Transistor

RF Power Amp, Driver

Description:

The NTE349 is a silicon NPN transistor in a T72H type package designed primarily for use in 13.6V

VHF large–signal amplifier applications required in military and industrial equipment to 240MHz.

Features:

D Specified 13.6V, 175MHz Characteristics:

Output Power = 10W

Minimum Gain = 5.2dB

Efficiency = 50%

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V

Collector–Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0171mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

ON Characteristics

I = 200mA, I = 0

–

(BR)CEO

I = 2.5mA, I = 0

E C

(BR)EBO

= 15V, I = 0

–

1.0

CBO

DC Current Gain

I = 250mA, V = 5V

–

Dynamic Characteristics

Output Capacitance

= 15V, I = 0, f = 0.1 to 1MHz

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