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MMIX1F40N110P

更新时间： 2024-11-21 14:56:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE PC光电二极管电源电路
页数 文件大小 规格书
7页 206K
描述
SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系统。 由于外形小巧且采用小尺寸封装，因此可为多个器件采用同一个散热器，从而节省PCB空间。 除了更小、更轻

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MMIX1F40N110P 数据手册

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Advance Technical Information  
PolarTM HiperFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 1100V  
ID25 = 24A  
MMIX1F40N110P  
RDS(on) ≤ 290mΩ  
(Electrically Isolated Tab)  
trr  
≤ 300ns  
D
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Rectifier  
G
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
1100  
1100  
V
V
Isolated Tab  
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±30  
±40  
V
V
D
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
24  
A
A
100  
S
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
20  
2
A
J
G
EAS  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C  
TC = 25°C  
15  
V/ns  
W
500  
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
z
Silicon Chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) Substrate  
Isolated Substrate  
z
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
- Excellent Thermal Transfer  
- Increased Temperature and Power  
Cycling Capability  
VISOL  
50/60 Hz, 1 Minute  
Mounting Force  
2500  
V~  
FC  
50..200 / 11..45  
8
N/lb.  
g
- High Isolation Voltage (2500V~)  
Low Intrinsic Gate Resistance  
Low Package Inductance  
Fast Intrinsic Rectifier  
z
z
z
z
Weight  
Low RDS(on) and QG  
Advantages  
z
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1100  
3.5  
Typ.  
Max.  
z
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 3mA  
VDS = VGS, ID = 1mA  
VGS = ±30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
Applications  
6.5  
z
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
Pulse Power Applications  
Discharge Circuits in Lasers Pulsers,  
Spark Igniters, RF Generators  
DC-DC converters  
±200 nA  
IDSS  
50 μA  
3 mA  
z
z
TJ = 125°C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 20A, Note 1  
290 mΩ  
z
z
DC-AC inverters  
DS100431(01/12)  
© 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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与MMIX1F40N110P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMIX1F420N10T LITTELFUSE

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 		SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系
MMIX1F44N100Q3 IXYS

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 		1000V Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFET In SM
MMIX1F44N100Q3 LITTELFUSE

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 		SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系
MMIX1F520N075T2 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 500A I(D), 75V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
MMIX1F520N075T2 LITTELFUSE

获取价格

 		SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系
MMIX1G120N120A3V1 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
MMIX1G120N120A3V1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
MMIX1G320N60B3 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
MMIX1G320N60B3 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
MMIX1G75N250 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC PACKAGE-2

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