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MMIX2F150N20T

更新时间: 2024-11-22 14:56:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE PC光电二极管电源电路
页数 文件大小 规格书
8页 294K
描述
SMPD封装重仅8g,相比传统的电源模块更轻(通常要轻50%),因此可打造重量更轻的电源系统。 由于外形小巧且采用小尺寸封装,因此可为多个器件采用同一个散热器,从而节省PCB空间。 除了更小、更轻

MMIX2F150N20T 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchTM HiperFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 200V  
ID25 = 84A  
MMIX2F150N20T  
RDS(on) 16.5m  
(Electrically Isolated Tab)  
D2  
D1  
S2  
S1  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
G2S  
G2  
Fast Intrinsic Rectifier  
G1S  
G1  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Isolated Tab  
S1  
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
200  
200  
V
V
S2  
VDGR  
D1  
D2  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G1  
G1S  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
84  
A
A
375  
G2  
G2S  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
75  
A
J
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
EAS  
1.5  
PD  
TC = 25C  
305  
20  
W
Features  
dv/dt  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150C  
V/ns  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
C  
C  
C  
Silicon Chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) Substrate  
Isolated Substrate  
- Excellent Thermal Transfer  
- Increased Temperature and Power  
Cycling Capability  
- High Isolation Voltage (2500V~)  
Fast Intrinsic Rectifier  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
VISOL  
50/60 Hz, 1 Minute  
Mounting Force  
2500  
V~  
FC  
50..200 / 11..45  
8
N/lb  
g
Avalanche Rated  
Very Low RDS(on)  
Weight  
Advantages  
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
200  
3.0  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 4mA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
5.0  
DC-DC Converters  
Battery Chargers  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
200 nA  
IDSS  
25 A  
Power Supplies  
DC Choppers  
AC Motor Drives  
Uninterruptible Power Supplies  
Note 2, TJ = 150C  
1.5 mA  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 60A, Note 1  
16.5 m  
High Speed Power Switching  
Applications  
DS100621A(9/14)  
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  

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