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MMIX4B12N300

更新时间： 2024-11-06 14:56:19

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力特 - LITTELFUSE		光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	329K
描述
我们的SMPD产品系列在拓扑或硅品种方面提供丰富的标准选择。凭借简单易用性和经过优化的生产工艺，它可快速上市，为需要有效区分不同芯片和电路组合的客户实现快速产品研发。可采用一种高度可靠的封装成

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MMIX4B12N300 数据手册

Preliminary Technical Information

High Voltage, High Gain

V_CES= 3000V

I_C110= 11A

V_CE(sat)≤ 3.2V

MMIX4B12N300

BIMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

(Electrically Isolated Tab)

E2C4

E1C3

E3E4

E2C4

E3E4

E1C3

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_C= 25°C to 150°C

3000

Isolated Tab

E3E4

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

E2C4

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

E1C3

T_C= 110°C

T_C= 25°C, V_GE= 19V, 1ms

10ms

G = Gate

= Emitter

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 20Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 98

1500

C = Collector

(RBSOA)

Features

P_C

T_C= 25°C

125

T_J

-55 ... +150

150

°C

Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

4000V~ Electrical Isolation

High Blocking Voltage

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

High Peak Current Capability

Low Saturation Voltage

F_C

Mounting Force

50..200 / 11..45

Nm/lb.in.

V_ISOL

Weight

50/60Hz, 1 Minute

4000

Advantages

Low Gate Drive Requirement

High Power Density

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

3000

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

Applications

5.0

25 μA

±100 nA

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

Capacitor Discharge Circuits

Note 2, T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15V, Note 1

2.8

3.5

3.2

T_J= 125°C

DS100392A(06/12)

12 3 4 5 6 7

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