5秒后页面跳转
MMIX4B12N300 PDF预览

MMIX4B12N300

更新时间: 2024-11-19 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 329K
描述
我们的SMPD产品系列在拓扑或硅品种方面提供丰富的标准选择。 凭借简单易用性和经过优化的生产工艺,它可快速上市,为需要有效区分不同芯片和电路组合的客户实现快速产品研发。 可采用一种高度可靠的封装成

MMIX4B12N300 数据手册

 浏览型号MMIX4B12N300的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMIX4B12N300的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMIX4B12N300的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMIX4B12N300的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMIX4B12N300的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MMIX4B12N300的Datasheet PDF文件第7页 
Preliminary Technical Information  
High Voltage, High Gain  
VCES = 3000V  
IC110 = 11A  
VCE(sat) 3.2V  
MMIX4B12N300  
BIMOSFETTM Monolithic  
Bipolar MOS Transistor  
C2  
C1  
G1  
G2  
(Electrically Isolated Tab)  
E2C4  
E1C3  
G4  
G3  
C2  
G2  
E3E4  
E2C4  
G4  
E3E4  
C1  
G1  
E1C3  
Symbol  
VCES  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G3  
TC = 25°C to 150°C  
3000  
3000  
V
Isolated Tab  
E3E4  
G4  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
V
E2C4  
G2  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
C2  
G3  
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
26  
11  
A
A
E1C3  
G1  
TC = 110°C  
C1  
TC = 25°C, VGE = 19V, 1ms  
10ms  
98  
52  
A
A
G = Gate  
E
= Emitter  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 20Ω  
Clamped Inductive Load  
ICM = 98  
1500  
A
V
C = Collector  
(RBSOA)  
Features  
PC  
TC = 25°C  
125  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
z
Silicon Chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) Substrate  
Isolated Mounting Surface  
4000V~ Electrical Isolation  
High Blocking Voltage  
TJM  
Tstg  
z
z
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z
z
z
High Peak Current Capability  
Low Saturation Voltage  
FC  
Mounting Force  
50..200 / 11..45  
Nm/lb.in.  
VISOL  
Weight  
50/60Hz, 1 Minute  
4000  
8
V~  
g
Advantages  
z
Low Gate Drive Requirement  
High Power Density  
z
Symbol Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
3000  
3.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = 0.8 • VCES, VGE = 0V  
V
Applications  
5.0  
25 μA  
mA  
±100 nA  
V
z
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
Capacitor Discharge Circuits  
Note 2, TJ = 125°C  
1
z
IGES  
VCE = 0V, VGE = ± 20V  
VCE(sat)  
IC = IC90, VGE = 15V, Note 1  
2.8  
3.5  
3.2  
V
V
TJ = 125°C  
© 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100392A(06/12)  

与MMIX4B12N300相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMIX4B20N300 LITTELFUSE

获取价格

我们的SMPD产品系列在拓扑或硅品种方面提供丰富的标准选择。 凭借简单易用性和经过优化的生
MMIX4B22N300 LITTELFUSE

获取价格

我们的SMPD产品系列在拓扑或硅品种方面提供丰富的标准选择。 凭借简单易用性和经过优化的生
MMIX4G20N250 IXYS

获取价格

MOSFET N-CH
MMJ-100B-501 NUVOTEM TALEMA

获取价格

Miniature SMD Interface Modules
MM-JESD22-A115-A AVAGO

获取价格

Reflective Surface Mount Optical Encoder
MMJL-29C80F TEMIC

获取价格

Fast Cosine Transform Processor, 12-Bit, CMOS, CQFP44, MQFP-44
MMJL-29C80F/883 TEMIC

获取价格

Fast Cosine Transform Processor, 12-Bit, CMOS, CQFP44, MQFP-44
MMJL-29C80FP883 TEMIC

获取价格

Fast Cosine Transform Processor, 12-Bit, CMOS, CQCC44, MQFP-44
MMJT350T1 ONSEMI

获取价格

Bipolar Power Transistors
MMJT350T1_06 ONSEMI

获取价格

Bipolar Power Transistors PNP Silicon