是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-261AA | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.59 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压: | 300 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 20 | JEDEC-95代码: | TO-261AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 2.75 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MMJT350T1G | ONSEMI |
类似代替 |
Bipolar Power Transistors PNP Silicon |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMJT350T1_06 | ONSEMI |
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Bipolar Power Transistors PNP Silicon | |
MMJT350T1G | ONSEMI |
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Bipolar Power Transistors PNP Silicon | |
MMJT9410 | ONSEMI |
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Bipolar Power Transistors NPN Silicon | |
MMJT9410 | MOTOROLA |
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Bipolar Power Transistors | |
MMJT9410G | ONSEMI |
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Bipolar Power Transistors NPN Silicon | |
MMJT9410T1 | ONSEMI |
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NPN 双极功率晶体管 | |
MMJT9410T1G | ONSEMI |
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NPN 双极功率晶体管 | |
MMJT9410T1G | ROCHESTER |
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10mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 318E, 4 PIN | |
MMJT9435 | ONSEMI |
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Bipolar Power Transistors PNP Silicon | |
MMJT9435 | MOTOROLA |
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Bipolar Power Transistors |