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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MMJT9410G
MMJT9410G PDF预览

MMJT9410G

更新时间： 2024-11-05 03:29:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 74K
描述
Bipolar Power Transistors NPN Silicon

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MMJT9410G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-261AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.41Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：72 MHzBase Number Matches：1

MMJT9410G 数据手册

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MMJT9410  
Preferred Device  
Bipolar Power Transistors  
NPN Silicon  
Features  
• Collector −Emitter Sustaining Voltage −  
V
= 30 Vdc (Min) @ I = 10 mAdc  
http://onsemi.com  
CEO(sus)  
C
• High DC Current Gain −  
h
= 85 (Min) @ I = 0.8 Adc  
POWER BJT  
FE  
C
= 60 (Min) @ I = 3.0 Adc  
C
IC = 3.0 AMPERES  
BVCEO = 30 VOLTS  
VCE(sat) = 0.2 VOLTS  
• Low Collector −Emitter Saturation Voltage −  
V
CE(sat)  
= 0.2 Vdc (Max) @ I = 1.2 Adc  
C
= 0.45 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc  
C
• SOT−223 Surface Mount Packaging  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B; > 8000 V  
Machine Model, C; > 400 V  
4
C 2,4  
C
• Pb−Free Package is Available  
B
1
C
2
E
3
MAXIMUM RATINGS  
B 1  
E 3  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Top View  
Pinout  
Schematic  
V
30  
45  
CEO  
V
CB  
EB  
V
6.0  
1.0  
MARKING  
DIAGRAM  
Base Current − Continuous  
I
B
C
1
Collector Current − Continuous  
− Peak  
I
3.0  
5.0  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
3.0  
24  
1.7  
W
mW/°C  
W
C
D
AYW  
9410G  
G
SOT−223 (TO−261)  
CASE 318E  
Derate above 25°C  
Total P @ T = 25°C mounted on 1” sq.  
D
A
STYLE 1  
(645 sq. mm) Collector pad on FR−4  
bd material  
1
Total P @ T = 25°C mounted on 0.012” sq.  
0.75  
D
A
(7.6 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd material  
A
Y
W
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T
T
−55 to  
+150  
°C  
J, stg  
9410 = Device Code  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
G
= Pb−Free Package  
Symbol  
Max  
42  
Unit  
°C/W  
°C/W  
(Note: Microdot may be in either location)  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
q
JC  
JA  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient on  
1” sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd  
material  
R
R
75  
q
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient on  
0.012” sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on  
FR−4 bd material  
165  
260  
°C/W  
°C  
q
JA  
MMJT9410  
MMJT9410G  
SOT−223  
1000 / Tape & Reel  
1000 / Tape & Reel  
SOT−223  
(Pb−Free)  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds  
T
L
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
October, 2006 − Rev. 6  
MMJT9410/D  
12345

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MMJT9410G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMJT9410 ONSEMI

完全替代

 Bipolar Power Transistors NPN Silicon
FZT849 DIODES

类似代替

 SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT
FZT849TA DIODES

功能相似

 Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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