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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMJT9435
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MMJT9435

更新时间： 2024-11-18 03:48:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 89K
描述
Bipolar Power Transistors PNP Silicon

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MMJT9435 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.23
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：125JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MMJT9435 数据手册

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MMJT9435  
Preferred Device  
Bipolar Power Transistors  
PNP Silicon  
Features  
• Pb−Free Packages are Available  
http://onsemi.com  
• Collector −Emitter Sustaining Voltage −  
POWER BJT  
V
= 30 Vdc (Min) @ I = 10 mAdc  
CEO(sus)  
C
IC = 3.0 AMPERES  
BVCEO = 30 VOLTS  
CE(sat) = 0.275 VOLTS  
• High DC Current Gain −  
= 125 (Min) @ I = 0.8 Adc  
h
FE  
C
= 90 (Min) @ I = 3.0 Adc  
C
V
• Low Collector −Emitter Saturation Voltage −  
= 0.275 Vdc (Max) @ I = 1.2 Adc  
V
CE(sat)  
C
C 2,4  
= 0.55 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc  
C
• SOT−223 Surface Mount Packaging  
• Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in  
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B; > 8000 V  
Machine Model, C; > 400 V  
B 1  
E 3  
Schematic  
MARKING  
DIAGRAM  
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 1  
AWW  
9435  
9435  
A
WW  
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Work Week  
PIN ASSIGNMENT  
4
C
B
C
E
3
1
2
Top View Pinout  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
September, 2004 − Rev. 5  
MMJT9435/D  
123456

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MMJT9435 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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