是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G21 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.73 | 其他特性: | LOW CONDUCTION LOSS |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 400 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 配置: | SINGLE |
门极发射器阈值电压最大值: | 5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G21 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 21 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1000 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 595 ns | 标称接通时间 (ton): | 107 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMIX1G75N250 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC PACKAGE-2 | |
MMIX1G75N250 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC PACKAGE-2 | |
MMIX1H60N150V1 | LITTELFUSE |
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专为大功率脉冲和电容放电应用而设计? 由施加在栅极的电压接通(MOS结构 | |
MMIX1T132N50P3 | LITTELFUSE |
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SMPD封装重仅8g,相比传统的电源模块更轻(通常要轻50%),因此可打造重量更轻的电源系 | |
MMIX1T550N055T2 | LITTELFUSE |
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SMPD封装重仅8g,相比传统的电源模块更轻(通常要轻50%),因此可打造重量更轻的电源系 | |
MMIX1T600N04T2 | LITTELFUSE |
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SMPD封装重仅8g,相比传统的电源模块更轻(通常要轻50%),因此可打造重量更轻的电源系 | |
MMIX1T660N04T4 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
MMIX1X100N60B3H1 | LITTELFUSE |
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我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展,纳入 | |
MMIX1X200N60B3 | IXYS |
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IGBT 600V 223A 625W SMPD | |
MMIX1X200N60B3 | LITTELFUSE |
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我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展,纳入 |