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MMIX1G320N60B3

更新时间： 2024-11-18 19:16:39

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力特 - LITTELFUSE		栅瞄准线功率控制光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	244K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,

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MMIX1G320N60B3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G21	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	400 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G21	元件数量：	1
端子数量：	21	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1000 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	595 ns	标称接通时间 (ton)：	107 ns
Base Number Matches：	1

MMIX1G320N60B3 数据手册

Preliminary Technical Information

GenX3^TM600V

IGBT

V_CES= 600V

I_C25= 400A

V_CE(sat)≤ 1.50V

MMIX1G320N60B3

(Electrically Isolated Tab)

Medium-Speed Low-Vsat PT

IGBT for 5-40 kHz Switching

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

Continuous

Maximum Ratings

600

±20

±30

Isolated Tab

V_CGR

V_GES

V_GEM

Transient

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

400

180

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

1000

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 320

V_CE< V_CES

G = Gate

= Emitter

C = Collector

P_C

T_C= 25°C

1000

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

-55 ... +150

^zSilicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

^zIsolated Mounting Surface

^z2500V~ Electrical Isolation

^zOptimized for Low Conduction and

Switching Losses

V_ISOL

F_C

50/60Hz, 1 minute

Mounting Force

2500

50..200/11..45

N/lb.

^zVery High Current Capability

^zSquare RBSOA

Weight

Advantages

^zHigh Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zLow Gate Drive Requirement

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1mA, V_GE= 0V

I_C= 4mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

Applications

5.0

^zPower Inverters

^zUPS

^zMotor Drives

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

75 μA

T_J= 125°C

2 mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±400 nA

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

I_C= 320A

1.20

1.67

1.50

DS100264A(08/11)

12 3 4 5 6 7 8

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