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MMIX1X200N60B3

更新时间： 2024-09-16 22:57:31
品牌 Logo 应用领域
IXYS 双极性晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 234K
描述
IGBT 600V 223A 625W SMPD

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MMIX1X200N60B3 数据手册

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Preliminary Technical Information  
XPTTM 600V IGBT  
GenX3TM  
MMIX1X200N60B3  
VCES = 600V  
IC110 = 120A  
VCE(sat) ≤ 1.7V  
tfi(typ) = 110ns  
(Electrically Isolated Tab)  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 10-30kHz Switching  
C
G
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
600  
600  
V
V
E
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
Isolated Tab  
C
IC25  
IC110  
TC = 25°C (Chip Capability)  
TC = 110°C  
223  
120  
A
A
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
1000  
A
E
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
100  
1
A
J
G
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 1Ω  
Clamped Inductive Load  
ICM = 400  
A
μs  
W
(RBSOA)  
@VCE ≤ VCES  
G = Gate  
E
= Emitter  
C = Collector  
Features  
z
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
(SCSOA)  
RG = 10Ω, Non Repetitive  
PC  
TC = 25°C  
625  
Silicon Chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) Substrate  
Isolated Mounting Surface  
2500V~ Electrical Isolation  
Optimized for Low Conduction and  
Switching Losses  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
z
z
z
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10  
300  
260  
°C  
°C  
z
z
z
z
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
Very High Current Capability  
Square RBSOA  
VISOL  
FC  
50/60Hz, 1 minute  
Mounting Force  
2500  
50..200/11..45  
8
V~  
N/lb.  
g
Weight  
Advantages  
z
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
3.5  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.0  
z
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
z
50 μA  
mA  
±200 nA  
z
Note 2, TJ = 150°C  
3
z
z
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
z
VCE(sat)  
IC = 100A, VGE = 15V, Note 1  
1.40  
1.58  
1.70  
V
V
z
TJ = 150°C  
z
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100472A(02/13)  
12345678

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