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MMIX1Y100N120C3H1

更新时间： 2024-11-18 21:06:51

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
7页	228K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 92A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,

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MMIX1Y100N120C3H1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
最大集电极电流 (IC)：	92 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	400 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

MMIX1Y100N120C3H1 数据手册

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Preliminary Technical Information

XPT^TM600V IGBT

GenX3^TM

MMIX1X200N60B3

V_CES= 600V

I_C110= 120A

V_CE(sat)≤ 1.7V

t_fi(typ)= 110ns

(Electrically Isolated Tab)

Extreme Light Punch Through

IGBT for 10-30kHz Switching

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

600

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Isolated Tab

I_C25

I_C110

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 110°C

223

120

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

1000

I_A

E_AS

T_C= 25°C

100

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 1Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 400

μs

(RBSOA)

@V_CE≤ V_CES

G = Gate

= Emitter

C = Collector

Features

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

(SCSOA)

R_G= 10Ω, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

625

Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

2500V~ Electrical Isolation

Optimized for Low Conduction and

Switching Losses

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

Avalanche Rated

Short Circuit Capability

Very High Current Capability

Square RBSOA

V_ISOL

F_C

50/60Hz, 1 minute

Mounting Force

2500

50..200/11..45

N/lb.

Weight

Advantages

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

6.0

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

50 μA

±200 nA

Note 2, T_J= 150°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

1.40

1.58

1.70

T_J= 150°C

DS100472A(02/13)

12 3 4 5 6 7

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