Datasheet > MMIX1Y25N250CV1

MMIX1Y25N250CV1

更新时间： 2024-11-19 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	280K
描述
我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入了可按标准表面安装式(SMD)焊接工艺组装的模块，并可随时取放，在客户现有的SMD组装线上组装。我们的

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMIX1Y25N250CV1 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage XPT^TM

IGBT w/ Diode

V_CES= 2500V

I_C110= 18A

V_CE(sat) 4.0V

MMIX1Y25N250CV1

(Electrically Isolated Tab)

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

Continuous

Maximum Ratings

2500

±20

±30

V_CGR

V_GES

Isolated Tab

V_GEM

I_C25

I_C110

I_F110

Transient

T_C= 25°C

T_C= 110°C

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

270

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 5

Clamped Inductive Load

I_CM= 100

1500

G = Gate

= Emitter

C = Collector

P_C

T_C= 25°C

230

T_J

-55 ... +175

175

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C



Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Heatsink Surface

2500V~ Electrical Isolation

Anti-Parallel Diode



V_ISOL

F_C

50/60Hz, 1 minute

Mounting Force

2500

50..200/11..45

N/lb.



Weight

High Current Handling Capability

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

2500

3.0

Typ.

Max.



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

5.0

Applications

25 μA

μA

Note 2, T_J= 100C

100



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Laser Generators

Capacitor Discharge Circuits

AC Switches

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA



V_CE(sat)

I_C= 25A, V_GE= 15V, Note 1

3.4

4.7

4.0



T_J= 150C



DS100819A(3/17)

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与MMIX1Y25N250CV1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMIX1Y82N120C3H1	LITTELFUSE	获取价格	我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
MMIX2F150N20T	LITTELFUSE	获取价格	SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系
MMIX2F60N50P3	LITTELFUSE	获取价格	SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系
MMIX2F94N30T	LITTELFUSE	获取价格	SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系
MMIX4B12N300	LITTELFUSE	获取价格	我们的SMPD产品系列在拓扑或硅品种方面提供丰富的标准选择。凭借简单易用性和经过优化的生
MMIX4B20N300	LITTELFUSE	获取价格	我们的SMPD产品系列在拓扑或硅品种方面提供丰富的标准选择。凭借简单易用性和经过优化的生
MMIX4B22N300	LITTELFUSE	获取价格	我们的SMPD产品系列在拓扑或硅品种方面提供丰富的标准选择。凭借简单易用性和经过优化的生
MMIX4G20N250	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH
MMJ-100B-501	NUVOTEM TALEMA	获取价格	Miniature SMD Interface Modules
MM-JESD22-A115-A	AVAGO	获取价格	Reflective Surface Mount Optical Encoder

与MMIX1Y25N250CV1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MMIX1Y25N250CV1

MMIX1Y25N250CV1 数据手册

与MMIX1Y25N250CV1相关器件

与MMIX1Y25N250CV1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MMIX1Y25N250CV1

MMIX1Y25N250CV1 数据手册

与MMIX1Y25N250CV1相关器件

与MMIX1Y25N250CV1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？