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MMIX1Y82N120C3H1

更新时间： 2024-11-19 14:56:43

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	304K
描述
我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入了可按标准表面安装式(SMD)焊接工艺组装的模块，并可随时取放，在客户现有的SMD组装线上组装。我们的

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MMIX1Y82N120C3H1 数据手册

1200V XPT^TMIGBT

GenX3^TMw/ Diode

V_CES= 1200V

I_C110= 36A

MMIX1Y82N120C3H1

V_CE(sat) 3.4V

t_fi(typ)= 93ns

(Electrically Isolated Tab)

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Isolated Tab

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 110°C

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

320

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 2

Clamped Inductive Load

I_CM= 164

(RBSOA)

@V_CE V_CES

P_C

T_C= 25°C

320

G = Gate

C = Collector

= Emitter

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

Features

-55 ... +150



Optimized for Low Switching Losses

Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

2500V~ Electrical Isolation

Square RBSOA

Isolation Voltage 2500V~

Anti-Parallel Ultra Fast Diode

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

High Current Handling Capability

International Standard Package

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C



V_ISOL

F_C

50/60Hz, 1 minute

Mounting Force

2500

50..200/11..45

N/lb.



Weight



Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

3.0

Typ.

Max.



High Power Density

Low Gate Drive Requirement

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



5.0

Applications

50 A

100 nA



Note 2, T_J= 125C

High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V



V_CE(sat)

I_C= 82A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 125C

2.9

3.5

3.4



DS100483B(7/18)

12 3 4 5 6 7...9

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