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MMIX1X340N65B4

更新时间： 2024-11-19 14:56:47

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力特 - LITTELFUSE		光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	327K
描述
我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入了可按标准表面安装式(SMD)焊接工艺组装的模块，并可随时取放，在客户现有的SMD组装线上组装。我们的

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MMIX1X340N65B4 数据手册

Preliminary Technical Information

XPT^TM650V IGBT

GenX4^TM

MMIX1X340N65B4

V_CES= 650V

I_C90= 295A

V_CE(sat) 1.7V

t_fi(typ)= 80ns

(Electrically Isolated Tab)

Extreme Light Punch Through

IGBT for 10-30kHz Switching

ymbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

650

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

Isolated Tab

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

450

295

T_C= 25°C, 1ms

1200

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 1

I_CM= 400

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE V_CES

G = Gate

C = Collector

= Emitter

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

μs

(SCSOA)

R_G= 10, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

1200

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

Features



Very High Current Capability

Square RBSOA

Short Circuit Capability

Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

-55 ... +175



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

V_ISOL

F_C

50/60Hz, 1 minute

Mounting Force

2500

50..200/11..45

N/lb



Isolated Mounting Surface

2500V~ Electrical Isolation

Optimized for Low Conduction and

Switching Losses

Weight

Advantages



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

650

4.0

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 4mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



6.5

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



25 μA

±200 nA



T_J= 150°C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V



V_CE(sat)

I_C= 160A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 150°C

1.4

1.7



DS100598A(11/18)

12 3 4 5 6 7 8

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