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MMIX1Y100N120C3H1

更新时间： 2024-09-16 20:06:47

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
9页	275K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 92A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,

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MMIX1Y100N120C3H1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	最大集电极电流 (IC)：	92 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	400 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

MMIX1Y100N120C3H1 数据手册

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Preliminary Technical Information

1200V XPT^TMIGBT

GenX3^TMw/ Diode

V_CES= 1200V

MMIX1Y100N120C3H1

I_C110

= 40A

V_CE(sat)≤ 3.5V

t_fi(typ)= 110ns

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Isolated Tab

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 110°C

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

440

I_A

E_AS

T_C= 25°C

1.2

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 200

G = Gate

= Emitter

C = Collector

Features

(RBSOA)

@V_CE≤ V_CES

P_C

T_C= 25°C

400

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

Optimized for Low Switching Losses

Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

2500V~ Electrical Isolation

Square RBSOA

Isolation Voltage 2500V~

Anti-Parallel Ultra Fast Diode

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

V_ISOL

F_C

50/60Hz, 1 minute

Mounting Force

2500

50..200/11..45

N/lb.

Weight

Avalanche Rated

High Current Handling Capability

International Standard Package

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250µA, V_GE= 0V

I_C= 250µA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

5.0

50 µA

±100 nA

Applications

Note 2, T_J= 125°C

High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 125°C

2.9

3.9

3.5

DS100480A(03/13)

12 3 4 5 6 7...9

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