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MMIX1T660N04T4

更新时间： 2024-11-18 20:09:15

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力特 - LITTELFUSE		/
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描述
Power Field-Effect Transistor,

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MMIX1T660N04T4 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Base Number Matches：	1

MMIX1T660N04T4 数据手册

Advance Technical Information

TrenchT4^TM

Power MOSFET

V_DSS= 40V

I_D25= 660A

R_DS(on) 0.85m

MMIX1T660N04T4

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 175C

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

Isolated Tab

V_DGR

V_GSM

Transient

15

I_D25

I_DM

T_C= 25C (Chip Capability)

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

660

2600

I_A

T_C= 25C

330

E_AS

P_D

T_C= 25C

830

G = Gate

D = Drain

S = Source

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

C

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

C

^Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

V_ISOL

50/60 Hz, 1 Minute

Mounting Force

2500

^Isolated Substrate

F_C

50..200 / 11..45

N/lb.

- Excellent Thermal Transfer

- Increased Temperature and Power

Cycling Capability

Weight

- High Isolation Voltage (2500V~)

^175°C Operating Temperature

^High Current Handling Capability

^Fast Intrinsic Diode

^Avalanche Rated



Low R_DS(on)

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



2.0

4.0

Applications

200 nA

^DC-DC Converters and Offi-Line UPS

^Primary-Side Switch

^High Speed Power Switching

Applications

I_DSS

10 A

1.5 mA

T_J= 150C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 100A, Note 1

0.85 m

DS100738(7/16)

12 3 4 5 6 7

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