Datasheet > MMIX1T660N04T4

MMIX1T660N04T4

更新时间： 2024-11-05 20:09:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
7页	231K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMIX1T660N04T4 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Base Number Matches：	1

MMIX1T660N04T4 数据手册

Advance Technical Information

TrenchT4^TM

Power MOSFET

V_DSS= 40V

I_D25= 660A

R_DS(on) 0.85m

MMIX1T660N04T4

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 175C

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

Isolated Tab

V_DGR

V_GSM

Transient

15

I_D25

I_DM

T_C= 25C (Chip Capability)

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

660

2600

I_A

T_C= 25C

330

E_AS

P_D

T_C= 25C

830

G = Gate

D = Drain

S = Source

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

C

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

C

^Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

V_ISOL

50/60 Hz, 1 Minute

Mounting Force

2500

^Isolated Substrate

F_C

50..200 / 11..45

N/lb.

- Excellent Thermal Transfer

- Increased Temperature and Power

Cycling Capability

Weight

- High Isolation Voltage (2500V~)

^175°C Operating Temperature

^High Current Handling Capability

^Fast Intrinsic Diode

^Avalanche Rated



Low R_DS(on)

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



2.0

4.0

Applications

200 nA

^DC-DC Converters and Offi-Line UPS

^Primary-Side Switch

^High Speed Power Switching

Applications

I_DSS

10 A

1.5 mA

T_J= 150C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 100A, Note 1

0.85 m

DS100738(7/16)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与MMIX1T660N04T4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMIX1X100N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
MMIX1X200N60B3	IXYS	获取价格	IGBT 600V 223A 625W SMPD
MMIX1X200N60B3	LITTELFUSE	获取价格	我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
MMIX1X200N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
MMIX1X340N65B4	LITTELFUSE	获取价格	我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
MMIX1Y100N120C3H1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 92A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
MMIX1Y100N120C3H1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 92A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
MMIX1Y25N250CV1	LITTELFUSE	获取价格	我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
MMIX1Y82N120C3H1	LITTELFUSE	获取价格	我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
MMIX2F150N20T	LITTELFUSE	获取价格	SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系

与MMIX1T660N04T4相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MMIX1T660N04T4

MMIX1T660N04T4 技术参数

MMIX1T660N04T4 数据手册

与MMIX1T660N04T4相关器件

与MMIX1T660N04T4相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MMIX1T660N04T4

MMIX1T660N04T4 技术参数

MMIX1T660N04T4 数据手册

与MMIX1T660N04T4相关器件

与MMIX1T660N04T4相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？