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MMIX1G75N250

更新时间： 2024-11-06 20:10:43

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		通用开关栅光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	228K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC PACKAGE-21

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MMIX1G75N250 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G21	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	110 A	集电极-发射极最大电压：	2500 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G21
元件数量：	1	端子数量：	21
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	430 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	GENERAL PURPOSE SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	725 ns	标称接通时间 (ton)：	280 ns
Base Number Matches：	1

MMIX1G75N250 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage IGBT

V_CES= 2500V

I_C90= 65A

MMIX1G75N250

For Capacitor Discharge

Applications

V_CE(sat)≤ 2.9V

( Electrically Isolated Tab)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

2500

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

Isolated Tab

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

110

T_C= 90°C

T_C= 25°C, V_GE= 20V, 1ms

580

SSOA

(RBSOA)

P_C

_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1Ω

I_CM= 200

V_CE< 0.8 • V_CES

430

Clamped Inductive Load

T_C= 25°C

G = Gate

= Emitter

C = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

ꢀ

V_ISOL

F_C

50/60Hz, 1 minute

2500

N/lb.

Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

2500V~ Electrical Isolation

High Peak Current Capability

Low Saturation Voltage

Mounting Force

50..200 / 11..45

ꢀ

Weight

Molding Epoxies Meet UL 94 V-0

Flammability Classification

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

2500

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1mA, V_GE= 0V

I_C= 4mA, V_CE= V_GE

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

ꢀ

Capacitor Discharge

5.0

ꢀ

Pulser Circuits

50 μA

Note 2, T_J= 125°C

Advantages

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±200 nA

V_CE(sat)

I_C= 75A, V_GE= 15V, Note 1

I_C= 300A, V_GE= 25V

2.5

4.1

2.9

ꢀ

High Power Density

Easy to Mount

ꢀ

DS100365(07/11)

12 3 4 5 6 7

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