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MMIX1T550N055T2 PDF预览

MMIX1T550N055T2

更新时间： 2024-11-06 14:56:15
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE PC光电二极管电源电路
页数 文件大小 规格书
4页 179K
描述
SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系统。 由于外形小巧且采用小尺寸封装，因此可为多个器件采用同一个散热器，从而节省PCB空间。 除了更小、更轻

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MMIX1T550N055T2 数据手册

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Advance Technical Information  
TrenchT2TM GigaMOSTM  
Power MOSFET  
VDSS = 55V  
ID25 = 550A  
RDS(on) ≤ 1.3mΩ  
MMIX1T550N055T2  
(Electrically Isolated Tab)  
D
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
G
Fast Intrinsic Diode  
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Isolated Tab  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
55  
55  
V
V
VDGR  
D
VGSM  
Transient  
±20  
V
ID25  
IDM  
TC = 25°C (Chip Capability)  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
550  
A
A
S
2000  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
200  
3
A
J
G
EAS  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
PD  
TC = 25°C  
830  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
Features  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z Silicon Chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) Substrate  
z Isolated Substrate  
VISOL  
50/60 Hz, 1 Minute  
Mounting Force  
2500  
V~  
- Excellent Thermal Transfer  
- Increased Temperature and Power  
Cycling Capability  
FC  
50..200 / 11..45  
8
N/lb.  
g
Weight  
- High Isolation Voltage (2500V~)  
z 175°C Operating Temperature  
z Very High Current Handling  
Capability  
z Fast Intrinsic Diode  
z Avalanche Rated  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
z
Very Low RDS(on)  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
55  
V
V
Advantages  
1.8  
3.8  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
±200 nA  
z
z
IDSS  
10 μA  
1.5 mA  
High Power Density  
TJ = 150°C  
Applications  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 100A, Note 1  
1.3 mΩ  
z DC-DC Converters and Off-Line UPS  
z Primary-Side Switch  
z High Speed Power Switching  
Applications  
DS100281(08/10)  
© 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234

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与MMIX1T550N055T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMIX1T600N04T2 LITTELFUSE

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 		SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系
MMIX1T660N04T4 LITTELFUSE

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 		Power Field-Effect Transistor,
MMIX1X100N60B3H1 LITTELFUSE

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 		我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
MMIX1X200N60B3 IXYS

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 		IGBT 600V 223A 625W SMPD
MMIX1X200N60B3 LITTELFUSE

获取价格

 		我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
MMIX1X200N60B3H1 LITTELFUSE

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 		我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
MMIX1X340N65B4 LITTELFUSE

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 		我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
MMIX1Y100N120C3H1 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 92A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
MMIX1Y100N120C3H1 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 92A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
MMIX1Y25N250CV1 LITTELFUSE

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