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MMIX1T600N04T2

更新时间： 2024-11-19 14:56:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE PC光电二极管电源电路
页数 文件大小 规格书
7页 255K
描述
SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系统。 由于外形小巧且采用小尺寸封装，因此可为多个器件采用同一个散热器，从而节省PCB空间。 除了更小、更轻

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Advance Technical Information  
TrenchT2TM GigaMOSTM  
Power MOSFET  
VDSS = 40V  
ID25 = 600A  
RDS(on) ≤ 1.3mΩ  
MMIX1T600N04T2  
(Electrically Isolated Tab)  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
D
Fast Intrinsic Diode  
G
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
40  
40  
V
V
Isolated Tab  
VDGR  
D
VGSM  
Transient  
±20  
V
ID25  
IDM  
TC = 25°C (Chip Capability)  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
600  
A
A
2000  
S
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
200  
3
A
J
EAS  
G
PD  
TC = 25°C  
830  
W
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
Features  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z Silicon Chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) Substrate  
VISOL  
50/60 Hz, 1 Minute  
Mounting Force  
2500  
V~  
z Isolated Substrate  
FC  
50..200 / 11..45  
8
N/lb.  
g
- Excellent Thermal Transfer  
- Increased Temperature and Power  
Cycling Capability  
Weight  
- High Isolation Voltage (2500V~)  
z 175°C Operating Temperature  
z Very High Current Handling  
Capability  
z Fast Intrinsic Diode  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z Avalanche Rated  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
z
Very Low RDS(on)  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
40  
V
V
Advantages  
1.5  
3.5  
±200 nA  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
z
IDSS  
10 μA  
1.5 mA  
z
TJ = 150°C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 100A, Note 1  
1.3 mΩ  
Applications  
z DC-DC Converters and Off-Line UPS  
z Primary-Side Switch  
z High Speed Power Switching  
Applications  
DS100270(6/10)  
© 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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与MMIX1T600N04T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMIX1T660N04T4 LITTELFUSE

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 		Power Field-Effect Transistor,
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