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MMIX1T132N50P3 PDF预览

MMIX1T132N50P3

更新时间： 2024-11-19 14:56:43
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE PC光电二极管电源电路
页数 文件大小 规格书
8页 300K
描述
SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系统。 由于外形小巧且采用小尺寸封装，因此可为多个器件采用同一个散热器，从而节省PCB空间。 除了更小、更轻

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MMIX1T132N50P3 数据手册

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Advance Technical Information  
Polar3TM  
Power MOSFET  
Current & Temperature Sensing  
VDSS = 500V  
ID25 = 63A  
RDS(on) 43m  
MMIX1T132N50P3  
(Electrically Isolated Tab)  
A1  
A2  
SR  
S
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
GR  
SR  
G
CC  
CS  
SR  
D
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
500  
500  
V
V
Isolated Tab  
G
VDGR  
GR  
S
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
SR  
A2  
A1  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
63  
A
A
D
330  
SR  
CS  
CC  
IA  
EAS  
TC = 25C  
TC = 25C  
66  
2
A
J
- Gate  
G
- Current Sense  
- Gate Return  
- Source  
- Sense Current Return  
- Anode 1  
- Anode 2  
- Common Cathode  
- Drain  
CS  
GR  
S
SR  
A1  
A2  
CC  
D
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150C  
TC = 25C  
35  
V/ns  
W
520  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
C  
C  
C  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
Silicon Chip on Direct-Copper-Bond  
Substrate  
- High Power Dissipation  
- Isolated Mounting Surface  
- 2500V~ Electrical Isolation  
Avalanche Rated  
Low Package Inductance  
Current Mirror for MOSFET Source  
& Sensing  
Integrated Diodes for Sensing  
MOSFET Temperature  
Low RDS(on)  
VISOL  
50/60 Hz, 1 Minute  
Mounting Force  
2500 V~  
FC  
50..200 / 11..45  
N/lb.  
g
Weight  
8
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
500  
3.0  
Typ.  
Max.  
Advantages  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 3mA  
VDS = VGS, ID = 8mA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
Easy to Mount  
Space Savings  
5.0  
200 nA  
Applications  
IDSS  
50 A  
3 mA  
DC-DC Converters  
AC-DC Converters  
PFC  
Connect / Disconnect Load  
Inrush Current Control  
Note 2, TJ = 125C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 66A, Note 1  
43 m  
DS100695(01/16)  
© 2016 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345678

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与MMIX1T132N50P3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMIX1T550N055T2 LITTELFUSE

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 		SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系
MMIX1T600N04T2 LITTELFUSE

获取价格

 		SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系
MMIX1T660N04T4 LITTELFUSE

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 		Power Field-Effect Transistor,
MMIX1X100N60B3H1 LITTELFUSE

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 		我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
MMIX1X200N60B3 IXYS

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 		IGBT 600V 223A 625W SMPD
MMIX1X200N60B3 LITTELFUSE

获取价格

 		我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
MMIX1X200N60B3H1 LITTELFUSE

获取价格

 		我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
MMIX1X340N65B4 LITTELFUSE

获取价格

 		我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入
MMIX1Y100N120C3H1 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 92A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
MMIX1Y100N120C3H1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 92A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,

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