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MMIX1H60N150V1

更新时间： 2024-09-17 14:56:51

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力特 - LITTELFUSE		栅极驱动脉冲
页数	文件大小	规格书
6页	242K
描述
专为大功率脉冲和电容放电应用而设计? 由施加在栅极的电压接通（MOS结构）? 能够在1微秒的时间内承载高达32kA的电流? 高功率密度? 较低的栅极驱动要

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MMIX1H60N150V1 数据手册

Preliminary Technical Information

V_DM

= 1500V

1500V MOS Gated

Thyristor

MMIX1H60N150V1

w/ Anti-Parallel Diode

(Electrically Isolated Tab)

Isolated Tab

Symbol

V_DM

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1500

V_GK

Continuous

Transient

±30

±40

I_TSM

T_C= 25°C, 1μs

T_C= 25°C, 10μs

32.0

11.8

P_D

T_C= 25°C

446

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

= Cathode

-55 ... +150

A = Anode

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

260

°C

V_ISOL

F_C

50/60Hz, 1 minute

Mounting Force

2500

50..200/11..45

N/lb

Features

Weight



Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface



Anti-Parallel Diode



2500V~ Electrical Isolation

Very High Current Capability

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1500

2.5

Typ.

Max.



V_BR

V_GK(th)

V_T

I_A= 250A, V_GK= 0V

I_A= 250μA, V_AK= V_GK

I_T= 1000A, V_GK= 15V

I_T> I_L, V_GK= 15V

V_GK= 15V

High Power Density

Low Gate Drive Requirement



5.0

6.0

4.6

1.2

4.8

Applications

r_T

m



V_BO

I_D

Capacitive Discharge Circuits

Ignition Circuits

Solid State Surge Protection



V_AK= 1500V, V_GK= 0V

15 A

1.5 mA



T_J= 125C

I_L

I_H

400

350

I_GKS

V_AK= 0V, V_GK= 30V

200 nA

DS100595A(6/14)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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