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MMIX1F520N075T2

更新时间： 2024-09-16 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网 PC 开关脉冲光电二极管晶体管电源电路
页数	文件大小	规格书
7页	249K
描述
SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系统。由于外形小巧且采用小尺寸封装，因此可为多个器件采用同一个散热器，从而节省PCB空间。除了更小、更轻

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MMIX1F520N075T2 数据手册

TrenchT2^TMGigaMOS^TM

HiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 75V

I_D25= 500A

R_DS(on) 1.6m

MMIX1F520N075T2

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

Isolated Tab

T_J= 25C to 175C

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

500

1700

I_A

T_C= 25C

200

G = Gate

S = Source

D = Drain

E_AS

P_D

T_C= 25C

830

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

C

Features



Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Substrate

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

C



- Excellent Thermal Transfer

- Increased Temperature and Power

Cycling Capability

V_ISOL

50/60 Hz, 1 Minute

Mounting Force

2500

F_C

50..200 / 11..45

N/lb.

- High Isolation Voltage (2500V~)

175°C Operating Temperature

Very High Current Handling

Capability

Fast Intrinsic Diode

Avalanche Rated

Weight



Very Low R_DS(on)

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



2.5

5.0



200 nA

Applications

I_DSS

25 A

2.0 mA



DC-DC Converters and Off-Line UPS

Primary-Side Switch

High Speed Power Switching

T_J= 150C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 100A, Note 1

1.6 m



Applications

DS100269B(12/15)

12 3 4 5 6 7

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