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| 力特 - LITTELFUSE |  |
栅 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 247K |  |
| 描述 | ||
| Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.72 | 最大集电极电流 (IC)： | 220 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 400 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMIX1G320N60B3 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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| MMIX1G320N60B3 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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| MMIX1G75N250 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC PACKAGE-2 |
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| MMIX1G75N250 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC PACKAGE-2 |
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| MMIX1H60N150V1 | LITTELFUSE |
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专为大功率脉冲和电容放电应用而设计? 由施加在栅极的电压接通（MOS结构 |
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| MMIX1T132N50P3 | LITTELFUSE |
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SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系 |
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| MMIX1T550N055T2 | LITTELFUSE |
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SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系 |
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| MMIX1T600N04T2 | LITTELFUSE |
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SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系 |
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| MMIX1T660N04T4 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| MMIX1X100N60B3H1 | LITTELFUSE |
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我们的表面安装式功率器件(SMPD)封装技术在ISOPLUS?封装组合基础上有所扩展，纳入 |
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