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MMIX1F520N075T2 PDF预览

MMIX1F520N075T2

更新时间： 2024-11-18 20:53:15
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 223K
描述
Power Field-Effect Transistor, 500A I(D), 75V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-21

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MMIX1F520N075T2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G21
针数：21Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：4.46
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：3000 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：500 A
最大漏极电流 (ID)：500 A最大漏源导通电阻：0.0016 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G21
元件数量：1端子数量：21
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：830 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1700 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMIX1F520N075T2 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchT2TM GigaMOSTM  
HiperFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 75V  
ID25 = 500A  
RDS(on) ≤ 1.6mΩ  
MMIX1F520N075T2  
(Electrically Isolated Tab)  
D
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
G
Fast Intrinsic Diode  
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Isolated Tab  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
75  
75  
V
V
D
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
S
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
500  
A
A
1700  
G
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
200  
3
A
J
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
EAS  
PD  
TC = 25°C  
830  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
Features  
z
Silicon Chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) Substrate  
Isolated Substrate  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z
- Excellent Thermal Transfer  
- Increased Temperature and Power  
Cycling Capability  
VISOL  
50/60 Hz, 1 Minute  
Mounting Force  
2500  
V~  
FC  
50..200 / 11..45  
8
N/lb.  
g
- High Isolation Voltage (2500V~)  
175°C Operating Temperature  
Very High Current Handling  
Capability  
Fast Intrinsic Diode  
Avalanche Rated  
Weight  
z
z
z
z
z
Very Low RDS(on)  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Advantages  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 3mA  
VDS = VGS, ID = 8mA  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
75  
V
V
z
2.5  
5.0  
z
±200 nA  
Applications  
IDSS  
25 μA  
2.0 mA  
z
DC-DC Converters and Off-Line UPS  
Primary-Side Switch  
High Speed Power Switching  
TJ = 150°C  
z
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 100A, Note 1  
1.6 mΩ  
z
Applications  
DS100269A(08/11)  
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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