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IXTT170N10P

更新时间： 2024-01-10 19:35:46

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IXTT170N10P 技术参数

IXTT170N10P IXTQ170N10P

IXTK170N10P

Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance

1.000

0.100

0.010

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

Pulse Width - Seconds

IXYS REF: T_170N10P(8S)01-07-10-C

1 2 3 45

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ170N10P	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXFK170N10P	IXYS	功能相似	Polar HiperFET Power MOSFET
IXFH170N10P	IXYS	功能相似	Polar HiperFET Power MOSFET

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT170N10P-TR	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT1N100	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTT1N250HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT1N250HV-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT1N300P3HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXTT1N300P3HV	LITTELFUSE	获取价格	Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路
IXTT1N450HV	IXYS	获取价格	High Voltage Power MOSFET
IXTT1N450HV	LITTELFUSE	获取价格	超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高
IXTT20N50D	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT20N50D	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met