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IXTT170N10P

更新时间： 2024-01-15 20:53:46

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5页	170K
描述
PolarTM Power MOSFET

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IXTT170N10P 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
Base Number Matches：	1

IXTT170N10P 数据手册

IXTT170N10P IXTQ170N10P

IXTK170N10P

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

TO-3P (IXTQ) Outline

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

g_fs

V_DS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 25V, f = 1MHz

C_iss

C_oss

C_rss

6000

2340

730

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Resistive Switching Times

_GS= 10V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 60A

R_G= 3.3Ω (External)

Q_g(on)

Q_gs

198

V_GS= 10V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

Q_gd

107

R_thJC

R_thCS

0.21 °C/W

(TO-3P)

(TO-264)

0.25

0.15

°C/W

Source-Drain Diode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

170

350

1.5

TO-264 AA ( IXTK) Outline

I_S

V_GS= 0V

I_SM

V_SD

t_rr

Repetitive, Pulse Width Limited by T_JM

I_F= I_S, V_GS= 0V, Note 1

120

2.0

μC

I_F= 25A, -di/dt = 100A/μs,

V_R= 50V, V_GS= 0V

Q_RM

Gate

Drain

Source

Back Side

Note 1. Pulse test, t ≤ 300μs, duty cycle, d ≤ 2%.

Tab = Drain

Dim.

Millimeter

Inches

Min. Max.

TO-268 (IXTT) Outline

Min.

Max.

4.82

2.54

2.00

5.13

2.89

2.10

.190

.100

.079

.202

.114

.083

1.12

2.39

2.90

1.42

2.69

3.09

.044

.094

.114

.056

.106

.122

0.53

25.91 26.16

19.81 19.96

5.46 BSC

0.83

.021

1.020

.780

.033

1.030

.786

.215 BSC

0.00

0.25

.000

.010

20.32 20.83

.800

.090

.820

.102

2.29

2.59

3.17

3.66

.125

.144

6.07

8.38

6.27

8.69

.239

.330

.247

.342

3.81

1.78

4.32

2.29

.150

.070

.170

.090

6.04

1.57

6.30

1.83

.238

.062

.248

.072

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered

by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072 5,017,508

4,881,106 5,034,796

4,835,592 4,931,844

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1 6,683,344

6,534,343

6,583,505

6,727,585

6,710,405 B2 6,759,692

6,710,463

7,005,734 B2 7,157,338B2

7,063,975 B2

6,771,478 B2 7,071,537

123 4 5

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IXTT170N10P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ170N10P	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXFK170N10P	IXYS	功能相似	Polar HiperFET Power MOSFET
IXFH170N10P	IXYS	功能相似	Polar HiperFET Power MOSFET

与IXTT170N10P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT170N10P-TR	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT1N100	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTT1N250HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT1N250HV-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT1N300P3HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXTT1N300P3HV	LITTELFUSE	获取价格	Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路
IXTT1N450HV	IXYS	获取价格	High Voltage Power MOSFET
IXTT1N450HV	LITTELFUSE	获取价格	超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高
IXTT20N50D	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT20N50D	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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