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ASDM60N50KQ

更新时间： 2024-09-16 17:15:31

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安森德 - ASDsemi		/
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TO-252

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ASDM60N50KQ 数据手册

ASDM60N50KQ

60V N-Channel MOSFET

Product Summary

FEATURE

l Low gate charge

V DS

mΩ

l Low C

iss

l Fast switching

l 100% avalanche tested

l Improved dv/dt capability

R DS(on),Max@ VGS=10 V

I D

Schematic diagram

TO-252 top view

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

V^DS

±20

V^GS

I_D

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Pulsed Drain Current

I_D(100 ) ℃

200

62.5

I_DM

P_D

Maximum Power Dissipation

Derating factor

0.73

W/℃

(Note 5)

Single pulse avalanche energy

E_AS

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

℃

2.0

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2020 Version2.0

1/9

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