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ASDM65S300NF

更新时间： 2024-11-02 17:15:27

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安森德 - ASDsemi		/
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8页	2644K
描述
TO-220F

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ASDM65S300NF 数据手册

ASDM65S300NF

650V N-Channel MOSFET

Features

•

Low gate charge

Resistance

Product Summary

Lower Gate

100% Avalanche

V DS

650

250

mΩ

Tested

Compliant

Pb-free and RoHS

R DS(on),Typ@ VGS=10 V

I D

Application

• AC/DC power conversion

• Provides superior switching

performance

TO-220F

Absolute Maximum Ratings

Symbol

T_C= 25°C unless otherwise noted

Parameter

ASDM65S300NF

Units

Drain-Source Voltage

650

V_DSS

Drain Current

- Continuous (T_C= 25℃)

- Continuous (T_C= 100℃)

- Pulsed

I_D

(Note 1)

I_DM

V_GSS

EAS

I_AR

Drain Current

37.5

Gate-Source Voltage

(Note 2)

(Note 1)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

3.0

1.11

E_AR

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

MOSFET dv/dt

V/ns

(Note 3)

dv/dt

P_D

100

Power Dissipation (T_C= 25℃)

W/℃

℃

- Derate above 25℃

0.24

T_J, T_STG

T_L

Operating and Storage Temperature Range

-55 to +150

Maximum lead temperature for soldering purposes,

1/8" from case for 5 seconds

300

℃

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

ASDM65S300NF

Units

℃/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

4.1

R_θJC

R_θJS

R_θJA

62.5

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2021 Version1.0

1/8

12 3 4 5 6 7 8

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