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ASDM68N80P

更新时间： 2024-11-02 17:15:43

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安森德 - ASDsemi		/
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7页	1601K
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TO-220

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ASDM68N80P 数据手册

ASDM68N80P

68V N-Channel MOSFET

Features

Product Summary

 Trench Power Technology

 Low R_DS(ON)

8.0

mΩ

 Low Gate Charge

R DS(on),Typ@ VGS=10 V

 Optimized for Fast-switching Applications

Applications

 Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters

 Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial

Absolute Maximum Ratings T_C= 25ºC, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage (V_GS= 0V)

V_DSS

T_C= 25ºC

Continuous Drain Current

I_D

T_C= 100ºC

Pulsed Drain Current

Gate-Source Voltage

(note1)

(note2)

I_DM

320

±20

V_GSS

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

E_AS

I_As

T_C= 25ºC

120

Power Dissipation

(note3)

P_D

T_C= 100ºC

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

-55~+175

ºC

Thermal Resistance

Value

TO-220

1.24

Parameter

Symbol

Unit

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

R_thJC

R_thJA

ºC/W

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2018 Version1.0

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