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ASDM60P12KQ

更新时间： 2024-11-19 17:15:27

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安森德 - ASDsemi		/
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TO-252

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ASDM60P12KQ 数据手册

ASDM60P12KQ

-60V P-Channel MOSFET

Features

●

High density cell design for ultra low Rdson

●

Fully characterized avalanche voltage and current

Product Summary

●

Excellent package for good heat dissipation

VDS

-60

mΩ

RDS(on),max.@VGS=10V

$SSOLFDWLRQV

-12

●

Load switch

●

PWM application

TO-252

P-channel

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V^DS

Limit

-60

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

Pulsed Drain Current

±20

V^GS

-12

-48

I_D

I_DM

Maximum Power Dissipation

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 175

T_J,T_STG

3.0

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2021 Version1.0

1/7

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