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ASDM640KQ

更新时间： 2024-11-02 17:15:55

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安森德 - ASDsemi		/
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TO-252

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ASDM640KQ 数据手册

ASDM640KQ

200V N-Channel MOSFET

Feature

Product Summary

• Fast switching

200

Ω

• 100% avalanche tested

• Improved dv/dt capability

DS(on),Typ@ VGS=10 V

0.13

Application

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply (UPS)

• Power Factor Correction (PFC)

TO-252

Absolute Maximum Ratings T_C= 25ºC, unless otherwise noted

Value

TO-252

200

Parameter

Symbol

Unit

Drain-Source Voltage (V_GS= 0V)

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

V_DSS

I_D

(note1)

I_DM

Gate-Source Voltage

V_GSS

E_AS

I_AS

±20

262.7

7.3

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

(note2)

(note1)

Repetitive Avalanche Energy

Power Dissipation (T_C= 25ºC)

E_AR

P_D

157.62

ºC

104

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

-55~+150

Thermal Resistance

Value

TO-252

1.5

Parameter

Symbol

Unit

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

R_thJC

R_thJA

°C/W

Ascend Semicondutor Co.,Ltd

Aug 2020 Version1.0

1/5

12 3 4 5

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