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ASDM65S070NX

更新时间： 2024-11-02 17:15:19

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安森德 - ASDsemi		/
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ASDM65S070NX 数据手册

ASDM65S070NX

650V N-Channel Super-Junction MOSFET

FEATURES

Product Summary



Gate Charge

Improved dv/dt Capability

100% Avalanche Tested

650

_{R DS(on),TYP@ VGS}=10 V

Ω

APPLICATIONS



Solar inverters

LCD/LED/PDP TV

Telecom/Server Power supplies

AC-DC Power Supply

Absolute Maximum Ratings

Symbol

BV_DSS

I_D

Parameter

Test Condition

V_GS=0V, I_D=1mA

T_c=25℃

Value

650

Unit

Drain-source breakdown

Voltage

Drain current

Pulse width limited by

junction temperature

I_DM

Drain current

200

±20

V_GS

Gate-source voltage

Single pulsed avalanche

energy

I_AS=11.5A, R_G=25Ω

V_DD=50V, L=12mH

E_AS

780

℃

P_d

Power dissipation

Operating junction

Storage temperature

T_C=25℃

298

T_j

-55 to 155

T_stg

www.ascendsemi.com

0755-86970486

Sep 2021 Version1.0

1/8

12 3 4 5 6 7 8

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