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ASDM65S099NX

更新时间： 2024-11-02 17:15:55

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安森德 - ASDsemi		/
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11页	1966K
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ASDM65S099NX 数据手册

ASDM65S099NX

Junction MOSFET

650V N-Channel Super-

Features

Fast Switching

•

Product Summary

Low Gate Charge

Low Reverse transfer capacitances

V DS

650

100% Single Pulse avalanche energy

Halogen Free

Test

R DS(on),Typ@ VGS=10 V

I D

mΩ

Application

power.

•

PC、Server

Absolute（T_J= 25℃ unless otherwise specified）：

Parameter

Symbol

V_DSS

I_D

Rating

Units

Drain-to-Source Voltage(V_GS=0V)

Continuous Drain Current(Tc=25°C)

Pulsed Drain Current(Tc=25°C)

Gate-to-Source Voltage

650

120

I_DM

V_GSS

±20

1000

Single Pulse Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

V/ns

A/us

E_AS

dv/dt

di_f/dt

P_D

MOSFET dv/dt ruggedness

100

Maximum diode communication speed

Power Dissipation(Tc=25°C)

500

338

Operating and Storage Temperature Range

Maximum Temperature for Soldering

–55…+150

300

T_J，T_stg

T_L

℃

Thermal Restistance

Parameter

Max.

Symbol

Units

Junction-to-Case

R_θ

0.37

℃/W

Junction-to-Ambient

R_θ

Notes

1. Limited by Tjmax Maximum duty cycle D=0.75

2. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature

3. L=20.0mH, Rg=25 Ω，Vdd=50V, Start T_J=25℃

4. identical low side and high side switch with identical Rg

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2021 Version1.0

1/11

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